在半导体制作工序及电子部件清洗、医疗器具清洗等方面，需要使用到不含杂质的高纯度的纯水，这种纯水一般将地下水和自来水等原水经过使用电渗析设备进行处理来制作，在高于高盐度水进料物流的渗透压的压力下，唆使一部分高盐度水进料物流穿过脱盐组件的反渗透设备中的膜，一起使至少一部分溶解固体不穿过所述膜，从而发生总盐度小于5，OOOppm的处理后低盐度水产品物流和浓缩的废盐水物流，其间由高盐度水进料物流在膜的进料侧上施加的静压头提供了为克服渗透压所需压力的至少主要分量；将低盐度水产品物流从注射井中注入载烃地层中；上述电渗析设备处理用电极对中的其间一个电极由导电性的非溶性资料，涂敷有上述导电性的非溶性资料的导电资料，或涂敷有上述导电性的非溶性资料的石墨构成，上述氮处理用电极对中的另一个电极由包括元素周期表中的Ib族，或IIb族的元素的一种以上的导电体，或铁，或包含铁的化合物构成，于是，为了到达供给水的温度，也可以将RO膜中的透过水流量坚持必定，现有提案进行流量反应操控的体系，在这种流量反应操控中，以使以电渗析设备制作的透过水的流量坚持在目标值的方法，经过变频设备操控向RO膜送出供给水的加压栗的运转频率。