高纯水水在大规模集成电路工艺中的意义 1.电离杂质的影响 据报导如果在硅片表面二氧化硅膜上附着粒径为0.1μ的氯化钠粒子,由于潮解作用,可扩展为半径50μ的圆,这时钠的表面浓度为1.5×10~(11)/cm~2,这些钠如果都变为可动离子在1000A的氧化膜中移动,则使MOS开启电压偏移0.7V,这个值足以使产品造成不良影响。又如在硅片上附着粒径为0.1μ的金粉,热处理全部扩散至基片中,并均匀地分布